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    第三代半導體材料功率器件是未來高性能功率器件的重要組成部分之一。BOB外围研发团队在宽禁带半导体研究上有丰富的经验，相继研发了并联SiC的IGBT及宽禁带场效应晶体管。

    目前量產的並聯SiC二极管的新一代高速IGBT，大幅改善了Eon、trr、 Qrr和Qg等特性，适合在追求极限效率的系统中使用，支持80-100kHz的高速开关和图腾柱无桥PFC应用。

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    Package   P/N   VGE (V) BV (V) IC (A) Vth_typ(V) Von(V)
    Tc=25℃ Vcesat Vf
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  • 深圳業務支持中心
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